STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh™ DM6 STP50N60DM6

Le MOSFET de puissance MDmesh™ DM6 STP50N60DM6 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N et haute tension qui dispose d'une robustesse dv/dt extrêmement élevée. Ce MOSFET de puissance est une diode de corps à récupération rapide qui est protégée par Zener et testée à 100 % en avalanche. Le MOSFET de puissance STP50N60DM6 offre une faible charge de grille, une faible capacité d'entrée, une faible résistance et une R_DS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente. Ce MOSFET combine une très faible charge de récupération (Q_rr), un temps de récupération (t_rr) et une excellente amélioration de R_DS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces. Le MOSFET de puissance MDmesh DM6 STP50N60DM6 est idéal pour les applications de commutation.