STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh M2 STN6N60M2
Le MOSFET de puissance MDmesh M2 STN6N60M2 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N qui dispose d'une faible résistance à l'état passant et de caractéristiques de commutation optimisées. Ce MOSFET de puissance est développé à l'aide de la technologie MDmesh M2. Le MOSFET STN6N60M2 offre une charge de grille extrêmement faible et un excellent profil de capacité de sortie (Coss). Ce MOSFET de puissance est protégé par Zener et testé à 100 % en mode avalanche. Le MOSFET STN6N60M2 est idéal pour les applications de commutation.
Caractéristiques
- Charge de grille extrêmement faible
- Excellent profil de capacité de sortie (Coss)
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Protection par diode Zener
Caractéristiques techniques
- Tension grille-source ±25 VGS
- Courant de drain de 5,5 A à TC = 25 °C
- Courant de drain de 3,5 A à TC = 25 °C
- Courant de drain de 8 A (pulsé)
- Dissipation d'énergie totale de 6 W
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 ºC à +150 ºC
Présentation
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2020-08-10
| Mis à jour le: 2025-01-14