STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STD65N160M9

Le MOSFET de puissance à canal N STD65N160M9 de STMicroelectronics est basé sur la technologie super-jonction MDmesh M9. Le MOSFET est adapté à la moyenne/haute tension et présente un très faible R_DS(on) par surface. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à drain multiple, permettant une structure de dispositif améliorée. Le produit qui en résulte dispose de l'une des valeurs de résistance à l'état passant et de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à super-jonction et commutation rapide à base de silicium. Cela le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.