STMicroelectronics Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL

Les transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL de STMicroelectronics sont des transistors 650 V et 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie. Le SGT65R65AL de STMicroelectronics dispose d'un composant G-HEMT résultant qui présente des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et un fonctionnement de commutation ultra-rapide. Le composant permet une densité de puissance élevée et des performances d'efficacité imbattables.