STMicroelectronics Carte de démonstration EVSTDRIVEG600DG
La carte de démonstration EVSTDRIVEG600DG STMicroelectronics fournit une conception de référence de topologie à demi-pont associant le pilote de grille STDRIVEG600 à un HEMT GaN 650 V de 150 mΩ. Le STDRIVEG600 est un pilote de grille à demi-pont simple puce pour les eHEMTs au GaN (nitrure de Gallium) (Transistors à haute mobilité d'électrons mode amélioré) ou les MOSFET de puissance canal N. Le côté haut du STDRIVEG600 est conçu pour résister à des tensions pouvant atteindre 600 V. Il est adapté aux conceptions avec une tension de bus pouvant atteindre 500 V.
La carte de démonstration EVSTDRIVEG600DG de STMicroelectronics inclut un STDRIVEG600 pré-monté dans un boîtier SO-16 et un HEMT GaN GS-065-011-1-L 150 MΩ de GAN Systems dans un boîtier PowerFLAT™ avec une source Kelvin. La carte de démonstration dispose également d'un générateur de temps mort programmable intégré et d'un régulateur de tension linéaire 3,3 V pour alimenter des contrôleurs logiques externes comme les microcontrôleurs.
Des empreintes de rechange sont incluses pour permettre de personnaliser la carte pour l'application finale, comme un signal d'entrée séparé ou un signal PWM unique, l'utilisation d'une diode d'amorçage externe en option, une alimentation séparée pour VCC, pVCC ou le démarrage, et l'utilisation d'une résistance shunt côté bas pour les topologies en mode courant de crête.
Caractéristiques
- Topologie demi-pont basée sur le pilote de grille STDRIVEG600
- HEMT GaN GS-065-011-1-L refroidi 150 mΩ 650 V côté inférieur de GaN Systems
- Boîtier PowerFLAT de 5 mm x 6 mm avec source Kelvin
- Régulateur linéaire LDO 3,3 V ST715M33R
- Bus HV jusqu'à 500 V
- Tension d'alimentation du pilote de grille de 4,75 V à 6,5 VCC, limitée par la tension nominale du GaN VGS
- Générateur de temps mort réglable intégré pour convertir le signal PWM unique en temps mort indépendant côté haut et côté bas
- Entrées séparées optionnelles avec temps mort externe
- Résistance thermique de jonction à la température ambiante de 25 °C/W pour évaluer les topologies de grande puissance
- Connecteur haute fréquence pour surveillance de transistor de puissance GaN de porte
- Shunt côté bas optionnel
- PCB 50 mm x 70 mm FR-4
- Conforme à la directive RoHS
Documents
Dispositifs pris en charge
STMicroelectronics Pilote de grille à demi-pont STDRIVEG600
Pilote de grille à demi-pont à puce unique pour FET GaN à mode d'amélioration ou MOSFET de puissance à canal N.
Outils de développement associés
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Conception de référence à demi-pont associant le pilote de grille STDRIVEG600 à un MOSFET de puissance MDmesh DM2.
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