Vishay / Siliconix MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E
Le MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E de Vishay / Siliconix dispose de la technologie d'alimentation TrenchFET® Gén V. Ce MOSFET optimise le rendement énergétique et la RDS (on) minimise la perte de puissance pendant la conduction, assurant une exploitation efficace. Le MOSFET SiJK140E est testé Rg à 100 % et UIS. Ce MOSFET de puissance améliore la dissipation d'énergie et réduit la résistance thermique (RthJC). Les applications standard incluent le redressement synchrone, l’automatisation, les commutateurs OR-ing et permutables à chaud, les alimentations, le contrôle d’entraînement moteur et la gestion de batterie.
Caractéristiques
- Technologie d’alimentation TrenchFET® Gén V
- La RDS(on) de premier ordre minimise la perte de puissance dues à la conduction
- Testé 100 % Rg et UIS
- FET de niveau standard FET
- Améliorent la dissipation d'énergie et réduisent la RthJC
Caractéristiques techniques
- 40 V de tension drain-source
- Tension grille-source de ±20 VGS
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C
- Boîtier de 10 mm x 12 mm PowerPAK®
- Sans plomb (Pb) et sans halogène
Applications
- Redressement synchrone
- Automatisation
- Commutateur OR-ing et permutable à chaud
- Sources d’alimentation
- Commande de moteurs
- Gestion de batterie
MOSFET associés
Vishay / Siliconix MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12
Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.
Publié le: 2024-05-31
| Mis à jour le: 2025-05-09