ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky à haut rendement YQx
Les diodes à barrière de SCHOTTKY à haut rendement YQx de ROHM Semiconductor sont conçues pour améliorer le compromis entre la faible VF et la faible IR. Malgré de faibles valeurs VF, ces composants fournissent constamment des performances stables même lorsqu’ils sont soumis à des températures plus élevées. Ces diodes à barrière de SCHOTTKY de puissance de type moulé à haut rendement présentent des structures MOS à tranchée. Les diodes à barrière de SCHOTTKY YQx offrent une tension inverse 100V, une haute fiabilité et de faibles capacités. Ces composants sont idéaux pour les alimentations à commutation, les diodes de roue libre et les applications de protection contre les inversions de polarité.
Caractéristiques
- Haute fiabilité
- Faible VF et faible IR
- Petits types de moules électriques
- Structures MOS à tranchée
- Faibles capacités
- Faible consommation électrique
- Fonctionnement stable à hautes températures
- Variantes AEC-Q101 disponibles
Caractéristiques techniques
- Tension inverse directe de 100 V (VR)
- Tension inverse de crête répétitive de 100 V (VRM)
- Température de jonction de +175 °C (Tj)
- Plage de température de stockage de -55 °C à 175 °C (Tstg)
Applications
- Alimentations de commutation
- Diodes de roue libre
- Protection contre les inversions de polarité
- Automobile (modèles sélectionnés)
Vidéos
Publié le: 2023-12-19
| Mis à jour le: 2024-06-17