ROHM Semiconductor Diode à barrière de Schottky YQ30NL10SDFH
La diode barrière de SCHOTTKY YQ30NL10SDFH de ROHM Semiconductor est un composant de haute fiabilité conçu avec une structure de type moulé. Le YQ30NL10SDFH de ROHM Semiconductor combine des caractéristiques VF (tension directe) et IR (courant inverse) faibles, assurant des performances efficaces. Avec une faible capacité et une structure MOS à tranchée, le dispositif excelle dans diverses applications, notamment les alimentations de commutation, les diodes de roue libre et la protection contre les inversions de polarité. Les valeurs nominales maximales absolues, spécifiées à TC= 25 °C, mettent en évidence la conception robuste pour un fonctionnement fiable dans divers systèmes électroniques.
Caractéristiques
- Haute fiabilité
- Alimentation de type moulée
- Faible VF et faible IR
- Faible capacité
- Structure MOS en tranchée
- Valeurs nominales maximales absolues (TC= 25 °C sauf indication contraire)
Applications
- Alimentations de commutation
- Diodes de roue libre
- Protection contre les inversions de polarité
Circuit intérieur
Publié le: 2024-01-19
| Mis à jour le: 2024-01-24