ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à haute efficacité
Les diodes SCHOTTKY à haute efficacité de ROHM Semiconductor sont conçues pour améliorer le compromis entre faible VF et faible IR. Ces diodes présentent une structure MOS à tranchée, un courant de surtension direct de crête de 30 A, une haute fiabilité et une faible capacité. Les diodes SCHOTTKY à haute efficacité YQ1MM10Ax sont utilisées dans des applications telles que les alimentations de commutation, les diodes de roue libre et la protection contre la polarité inverse.
Caractéristiques
- Structure MOS en tranchée
- Haute fiabilité
- Type de moule à faible puissance
- Tension inverse de 100 V
- Courant direct moyen redressé de 1 A
- Courant de surtension en sens direct de 30 A
- Température de jonction de 175 °C
- Faible valeur de capacité
Applications
- Alimentations de commutation
- Diodes de roue libre
- Protection de polarité inverse
Fiches techniques
Publié le: 2025-06-17
| Mis à jour le: 2025-07-18