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ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR

Les diodes barrière SCHOTTKY à très faible IR de ROHM Semiconductor sont des diodes à structure planaire épitaxiale en silicium avec 175 °C. Ces diodes présentent une tension inverse de crête répétitive de 200 V, un courant inversé ultra-bas, une tension inverse de 200 V et une haute fiabilité. Les diodes à barrière SCHOTTKY à courant résiduelIR ultra-faible sont utilisées dans les applications d’alimentation électrique à commutation, les diodes de roue libre et la protection contre la polarité inverse.

Caractéristiques

  • Structure planaire épitaxiale en silicium
  • Tension inverse de crête répétitive de 200 V (Rapport≤0.5)
  • Courant inverse ultra-faible
  • Tension inverse de 200 V
  • Haute fiabilité
  • Température de jonction de 175 °C

Applications

  • Alimentation électrique de commutation
  • Diodes de roue libre
  • Protection de polarité inverse

Impédance thermique transitoire normalisée de la jonction au boîtier (par dispositif)

Graphique des performances - ROHM Semiconductor Diodes SCHOTTKY à très faible IR
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Numéro de pièce Fiche technique If - Courant direct Vr - Tension inverse Vf - Tension directe Vrrm - Tension inverse répétitive Ir - Courant inverse Ifsm - Courant de surtension direct Température de fonctionnement max.
RB028RSM20STFTL1 RB028RSM20STFTL1 Fiche technique 12 A 200 V 840 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB028RSM20STL1 RB028RSM20STL1 Fiche technique 12 A 200 V 840 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB038RSM20STFTL1 RB038RSM20STFTL1 Fiche technique 4 A 200 V 790 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB038RSM20STL1 RB038RSM20STL1 Fiche technique 4 A 200 V 790 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB048RSM20STFTL1 RB048RSM20STFTL1 Fiche technique 8 A 200 V 830 mV 200 V 230 nA 95 A + 175 C
RB048RSM20STL1 RB048RSM20STL1 Fiche technique 8 A 200 V 830 mV 200 V 230 nA 95 A + 175 C
RB078RSM20STFTL1 RB078RSM20STFTL1 Fiche technique 5 A 200 V 810 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB078RSM20STL1 RB078RSM20STL1 Fiche technique 5 A 200 V 810 mV 200 V 140 nA 80 A + 175 C
RB088RSM20STFTL1 RB088RSM20STFTL1 Fiche technique 10 A 200 V 830 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
RB088RSM20STL1 RB088RSM20STL1 Fiche technique 10 A 200 V 830 mV 200 V 250 nA 135 A + 175 C
Publié le: 2025-06-16 | Mis à jour le: 2025-07-11