ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SP8M
Les MOSFET de puissance SP8M de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant logés dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8). Le SP8M dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET sont également sans halogènes, ont un placage 100 % étain et sont homologués AEC-Q101.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Petit boîtier pour montage en surface (SOP8)
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
- Sans halogène
- Revêtement 100 % étain
- Homologué AEC-Q101
Applications
- Tension
Produits associés
ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs
Provide automotive support, wide drive type, and support from a small signal to high power.
View Results ( 7 ) Page
| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Vds - Tension de rupture drain-source | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|---|---|
| SP8M6HZGTB |  |
MOSFET AECQ | 30 V | 5 A, 3.5 A | 51 mOhms, 90 mOhms |
| SP8M31HZGTB | |
MOSFET AECQ | 60 V | 4.5 A | 65 mOhms, 70 mOhms |
| SP8M21HZGTB | |
MOSFET AECQ | 45 V | 6 A, 4 A | 25 mOhms, 46 mOhms |
| SP8M4HZGTB | |
MOSFET AECQ | 30 V | 9 A, 7 A | 18 mOhms, 28 mOhms |
| SP8M41HZGTB | |
MOSFET AECQ | 80 V | 3.4 A, 2.6 A | 130 mOhms, 240 mOhms |
| SP8M51HZGTB | |
MOSFET AECQ | 100 V | 3 A, 2.5 A | 170 mOhms, 290 mOhms |
| SP8M3HZGTB | |
MOSFET AECQ | 30 V | 5 A, 4.5 A | 51 mOhms, 56 mOhms |
Publié le: 2022-02-08
| Mis à jour le: 2022-03-11