ROHM Semiconductor Diodes barrière Schottky
Les diodes à barrière de Schottky de ROHM Semiconductor disposent d’une large gamme de composants à faible perte et haute fiabilité et sont disponibles en différents boîtiers. Les diodes Schottky fournissent une faible tension directe et un courant inverse avec une haute résistance DES. L’emballement thermique est bloqué même à des températures élevées, ce qui les rend excellentes pour les systèmes automobiles et les alimentations électriques. Les diodes sont standard ou homologuées AEC-Q101. Les diodes RBE disposent d’un rendement amélioré et d’un faible VF. Les diodes à barrière de Schottky de ROHM Semiconductor occupent 80 % moins d’espace et fournissent une grande capacité de traitement du courant.
Caractéristiques
- Haute fiabilité
- Meilleure efficacité
- Faible VF
- Occupe 80 % moins d’espace
- Capacité de traitement de courant élevée
- Faible production de chaleur et bruit en fonctionnement normal
- Faible tension directe (VF)
- Temps de récupération inverse haut débit (trr)
- Les caractéristiques de récupération progressive assurent un fonctionnement à haut rendement avec une faible perte
Applications
- Circuits de prévention de reflux
- Convertisseurs CC/CC
Application de circuit
Illustration de réduction d’espace
Comparaison de courant rectifié moyen
Diodes associées
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky RBQx
Disposent de diodes à faible IR et haute fiabilité homologuées AEC-Q101 pour un redressement général.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky série RB
Conçues pour le redressement général avec une haute fiabilité et un faible courant inverse.
ROHM Semiconductor Automotive Schottky Barrier Diodes
A wide array of high-reliability, low-loss diodes are available in various packages.
ROHM Semiconductor RASMID™ Schottky Barrier Diodes
Ideal for high-density applications like smartphones and other portable devices.
ROHM Semiconductor SiC Schottky Barrier Diodes
Lower capacitive charge reduces switching loss, enabling high-speed switching operation.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky RB7x
Diodes automobiles haute fiabilité homologuées AEC-Q101 qui sont adaptées à la commutation à haute vitesse.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky RBRxxBGE
Disposent d'une structure planaire épitaxiale en silicium et d'une tension inverse de crête répétitive de 30 V, 40 V ou 60 V.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky RBQxxBGE
Disposent d'une structure planaire épitaxiale en silicium et d'une tension inverse de crête répétitive de 45 V ou 65 V.