ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxP120BLFRA
Les MOSFET de puissance RxP120BLFRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101. Les dispositifs délivrent une tension de rupture drain-source de 100 V, une résistance à l'état passant drain-source statique de 62 mΩ et un courant de drain continu de ±12 A. Les MOSFET de puissance RxP120BLFRA de ROHM sont idéaux pour lesapplications automobiles comme le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.
Caractéristiques
- Qualification AEC-Q101
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Haute puissance, boîtier de petite taille
- Placage sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- Flanc mouillable
Applications
- Système d'aide à la conduite (ADAS)
- Infoloisir
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture drain-source de 100 V
- Résistance à l'état passant drain-source statique de 62 mΩ
- Dissipation d'énergie de 40 W (RQ3P120BLFRA) et 23 W (RF9P120BLFRA)
- Courant de drain continu de ±12 A
- Boîtiers DFN2020 (RF9P120BLFRA) et HSMT8AG (RQ3P120BLFRA)
Ressources supplémentaires
Circuits d'application
Publié le: 2025-07-14
| Mis à jour le: 2025-07-22