ROHM Semiconductor MOSFET de puissance moyenne à canal N RV7x

Les MOSFET de puissance moyenne N voies RV7x ROHM Semiconductor fournissent une faible résistance en marche et une excellente conduction thermique. Le RV7x est disponible en boîtier plastique CMS à pastille de drain exposée et ultra-compact sans fil (1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm). Les MOSFET RV7x ROHM sont idéaux pour les applications de commutation et de commutation de charge avec une plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C.

Caractéristiques

  • Pastille de drain exposée et ultra-petite sans fil pour un excellent boîtier plastique CMS à conduction thermique (1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm)
  • Faible résistance à l'état passant
  • Pilote 2,5 V (RV7L020GN) 4,5 V (RV7E040AJ)
  • Placage des fils sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Commutation
  • Commutateur de charge

Caractéristiques techniques

  • VDSS de 60 V (RV7L020GN) ou de 30 V (RV7E040AJ)
  • RDS(on) de 157 mΩ (RV7L020GN) ou de 45 mΩ (RV7E040AJ)
  • ID à ±2,0 A (RV7L020GN) ou à ±4,0 A (RV7E040AJ)
  • PD à 1,1 W (RV7L020GN et RV7E040AJ)
  • Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à +150 °C

Circuit intérieur RV7L020GN

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance moyenne à canal N RV7x

Circuit intérieur RV7E040AJ

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance moyenne à canal N RV7x
Publié le: 2024-04-30 | Mis à jour le: 2024-09-06