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ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible RV5x040

Les MOSFET à signal faible RV5x040 de ROHM Semiconductor offrent une faible résistance à l'état passant dans un petit boîtier DFN1616. Le RV5x040 dispose d'un courant de drain continu de ±4,0 A et d'une dissipation de puissance de 1,5 W. Les MOSFET à signal faible RV5x040 de ROHM sont conçus pour les applications de commutation et de commutation de charge.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Commande -1,5 V
  • Diode de protection G-S intégrée
  • Petit boîtier DFN
  • Placage de fil sans plomb ; conforme à la directive RoHS

Applications

  • Tension
  • Commutateurs de charge

Caractéristiques techniques

  • RV5C040AP
    • PD 1,5 W
    • Id ±4,0 A
    • RDS(on) 85 mΩ (max.)
    • -VDSS -20 V
  • RV5A040AP
    • PD 1,5 W
    • Id ±4,0 A
    • RDS(on) 62 mΩ (max.)
    • VDSS -12 V

Circuit intérieur

Circuit de localisation - ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible RV5x040
Publié le: 2022-07-06 | Mis à jour le: 2022-07-11