ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible RV4E031RP HZG
Le MOSFET à signal faible RV4E031RP HZG de ROHM Semiconductor dispose d'une faible résistance à l'état passant, d'un petit boîtier à haute puissance et d'un pilote à basse tension. Ce MOSFET est testé à 100 % par UIS et comprend un flanc mouillable pour une inspection optique automatisée (AOI) de la brasure. Le MOSFET de signal HZG RV4E031RP fonctionne sur une plage de température de jonction et une plage de température de stockage de -55 °C à + 150 °C. Ce MOSFET offre une tension drain-source de -30 V, ±un courant de drain continu de 3,1 A et une dissipation d'énergie de 1,5 W. Les applications standard comprennent les circuits de commutation, le commutateur de charge côté haut et le pilote de ligne à haut débit.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Petit boîtier à haute puissance
- Pilote basse tension -4 V
- Testé 100 % UIS
- Flanc mouillable pour une inspection optique automatisée (AOI) de la brasure
- Partie électrode garantie 130 μm
Caractéristiques techniques
- Plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C
- Tension drain-source de -30 V
- Courant de drain continu ±3,1 A
- Dissipation d'énergie 1,5 W
- Courant de drain pulsé ±12 A
Applications
- Circuits de commutation
- Commutateur de charge côté haut
- Pilote de ligne haut débit
Schéma de principe
Publié le: 2021-02-26
| Mis à jour le: 2022-03-11