ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RS7
Les MOSFET de puissance RS7 de ROHM Semiconductor sont conçus pour offrir une performance élevée dans les entraînements à moteur, les applications decommutation et les convertisseurs CC/CC. Dotés d’une faible résistance, d’un boîtier DFN5060T8LSHAAE robuste et haute puissance, et d’un placage sans plomb, ces MOSFET RS7 de ROHM Semiconductor sont conformes à la directive RoHS et ne contiennent pas d’halogène. Chaque unité est soumise à 100 % de tests Rg et UIS pour garantir une fiabilité et une performance supérieures.
Caractéristiques
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Boîtiers de haute puissance
- Placage sans Pb et conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- 100 % testé à Rg et UIS
Applications
- Commutation
- Commandes de moteurs
- Convertisseurs CC/CC
Caractéristiques techniques
- Options de tension de seuil source-grille de 2,5 V ou 4 V
- Plage de charge de la grille de 49 nC à 145 nC
- 0,64 mΩ à 8,3 mΩ maximum de résistance drain-source à l'état passant (RDS(on))
- Tension grille-source de ±20 V
- Fourchette de puissance dissipée (PD) de 160 W à 217 W
- Fourchette de courant drain continu (ID) de 150 A à 445 A
- Gammes de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C/+175 °C
Profil de boîtier
Circuit intérieur
Publié le: 2025-01-09
| Mis à jour le: 2025-11-21