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ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

Le MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V deROHM Semiconductor est un dispositif spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A. La résistance drain-source à l'état passant [RDS(ON)] est de 46,0 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -4,0 A) et est fournie dans un boîtier SOT-346T (TSMT3) de 2,8 mm x 2,9 mm. Le MOSFET RQ5G040AT de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications de commutation et d'entraînement de moteur.

Caractéristiques

  • Faible résistance en état de fonctionnement
  • Petit boîtier monté en surface - SOT-346T (TSMT3)
  • Placage des fils sans plomb et conformité à la directive RoHS
  • Sans halogène
  • 100 % testé à Rg et UIS

Applications

  • Commutation
  • Entraînements à moteur

Caractéristiques techniques

  • Résistance drain-source à l'état passant [RDS(ON)]
    • 46,0 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -4,0 A)
    • 57,0 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -4,0 A)
  • Dissipation d'énergie de 1,0 W (PD)
  • Charge de grille totale (Qg)
    • 16,8 nC (std) (VDD = -20 V,ID = -4 A, VGS = -10 V)
    • 8,5 nC (std) (VDD = -20 V, ID = -4 A, VGS = -4,5 V)
  • Température de jonction +150 °C (Tj)

Schéma du circuit

Schéma - ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

Schéma du boîtier

Plan mécanique - ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
Publié le: 2025-07-25 | Mis à jour le: 2025-08-19