ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3G110AT à canal P -40 V -35 A

Le MOSFET de puissance à canal P RQ3G110AT -40 V -35 A de ROHM Semiconductor est un composant à faible résistance à l'état passant logé dans un petit boîtier moulé à haute puissance (HSMT8). Le RQ3G110AT dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET sont également sans halogènes.