ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
Le MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile avec une tension source-drain (VDSS) de -60 V et un courant de drain continu (ID) de ±36 A, conforme à la norme AEC-Q101. La résistance à l'état passant source-drain [RDS(ON)] est de 41 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A) et il est livré dans un boîtier DFN-8 (DFN3333T8LSAB) de 3,3 mm x 3,3 mm. Le MOSFET RH7L04CBJFRA de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications de systèmes d'aide à la conduite (ADAS), d'information, d'éclairage et de carrosserie.
Caractéristiques
- Produit avec flancs mouillables
- Qualification AEC-Q101
- 100 % testé en avalanche
Applications
- Système d'aide à la conduite (ADAS)
- Informations
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Résistance à l'état passant drain-source [RDS(ON)] :
- 41 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A)
- 47 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -10 A)
- Dissipation d'énergie de 62 W (PD)
- Charge de grille totale (Qg)
- 35,0 nC (std) (VDD = -30 V, ID = -10 A, VGS = -10 V)
- 16,0 nC (std) (VDD = -30 V, ID = -10 A, VGS = -4,5 V)
- Température de jonction de +175 °C (Tj)
Schéma du circuit
Schéma du boîtier
Publié le: 2025-07-25
| Mis à jour le: 2025-08-19