ROHM Semiconductor Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V
Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V de ROHM Semiconductor disposent d’une faible perte de commutation et de conduction. Ces IGBT ont une tension nominale collecteur-émetteur de 1 200 V et un courant nominal collecteur-courant de 69 A. Les dispositifs RGA80Tx de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les compresseurs électriques, les chauffages HT pour les applications automobiles et les onduleurs pour les applications industrielles.
Caractéristiques
- Qualifié selon AEC-Q101
- Durée de tenue aux courts-circuits de 10 μs
- Une faible tension de saturation collecteur-émetteur
- FRD à récupération progressive et très rapide intégrée
- Placage des fils sans plomb
- Conforme RoHS
Applications
- Convertisseur général pour utilisation automobile et industrielle
- Chauffage HT
- Circuit de Relais (p. ex. relais de pré-charge)
Circuits internes
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| RGA80TRX2EHRC15 |  |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TRX2HRC15 | |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TSX2EHRC11 | |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TSX2HRC11 | |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
Publié le: 2024-10-14
| Mis à jour le: 2024-10-17