ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RFNL10BM6SFHTL
La diode à récupération ultra-rapide RFNL10BM6SFHTL de ROHM Semiconductor dispose d'une faible perte de commutation, d'une tension directe ultra-faible et d'une capacité de surcharge de courant élevée. Cette diode à récupération ultra-rapide comprend une construction planaire épitaxiale en silicium. La diode de récupération RFNL10BM6SFHTL fonctionne à une tension inverse de crête répétitive de 600 V, une tension inverse de 600 V et un courant direct rectifié moyen de 10 A. Cette diode de récupération ultra-rapide fonctionne à un courant de surtension direct de 100 A, une température de jonction de 150 °C et est stockée sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. La diode RFNL10BM6SFHTL est idéale pour une utilisation dans le redressement général en mode courant discontinu PFC.
Caractéristiques
- Faible perte en commutation
- Construction planaire épitaxiale en silicium
- Tension directe ultra-faible
- Capacité de surcharge de courant élevée
Caractéristiques techniques
- Tension inverse répétitive de crête (VRRM) 600 V
- Tension inverse 600 V
- Courant direct rectifié moyen de 10 A
- Courant de surtension direct répétitif de crête 100 A
- Température de jonction de +150 °C
- Température de stockage de -55 °C à + 150 °C
Plan mécanique
Publié le: 2021-02-23
| Mis à jour le: 2022-03-11