ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RF6L025BG

Le MOSFET de puissance RF6L025BG de ROHM Semiconductor dispose d’une tension drain-source (V_DSS) 60 V et d’un courant de drain continu (I_D) ±2,5 A. Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l’état passant du 91 mΩ (R_{DS (on)}) et une dissipation de puissance du 1 W (P_D). Le MOSFET RF6L025BG fonctionne dans la plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement de -55 °C à 150 °C et est disponible en petit boîtier à montage en surface sans halogène (TUT6 ou SOT-363T). Ce composant conforme à la directive RoHS intègre un placage sans plomb. Le MOSFET de puissance RF6L025BG est adapté aux applications de commutation, d’entraînement moteur et de convertisseur CC-CC.