ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF302LB2S
La diode à récupération ultra-rapide RF302LB2S de ROHM Semiconductor offre une tension directe et des pertes de commutation faibles dans un boîtier DO-214AA. Le dispositif présente une tension inverse de 200 V, un courant de surtension direct de pointe de 80 A et un courant direct moyen redressé de 3 A. La diode à récupération ultra-rapide RF302LB2S de ROHM est idéale pour les applications de redressement général.
Caractéristiques
- Type de moule à faible puissance
- Tension directe faible
- Faible perte en commutation
- Structure planaire épitaxiale en silicium
- Boîtier DO-214AA
Caractéristiques techniques
- Tension inverse de 200 V
- Courant direct moyen de 3 A
- Courant de surtension direct de crête de 80 A
- Temps de récupération inverse de 16 ns
Diodes associées
ROHM Semiconductor Diodes à récupération ultra-rapide
Présentent une tension directe faible et de faibles pertes de commutation, et sont idéales pour le redressement général.
Circuit d'application
Publié le: 2025-07-14
| Mis à jour le: 2025-07-22