ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
La diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S de ROHM Semiconductor est une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, dotée d'une faible tensionVF et d'une faible perte de commutation. Cette diode présente également un temps de récupération inverse rapide de 14 ns en moyenne et une tension inverse de 200 V. La diode RF202LB2S est conçue selon une construction de type planaire épitaxiale en silicium et est fournie dans un boîtier DO-214AA (SMB). Cette diode offre un courant direct moyen redressé de 2 A et un courant de surtension direct de pointe de 40 A. La diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S est conforme à la directive RoHS et fonctionne dans la plage de température de -55 °C à 150 °C. Cette diode est idéale pour une utilisation dans des applications générales de redressement.
Caractéristiques
- Type de moule à faible puissance
- Tension directe faible standard de 0,85 V
- Faible perte en commutation
- Structure planaire épitaxiale en silicium
- Conforme à la directive RoHS
- Boîtier DO-214AA (SMB)
Caractéristiques techniques
- Tension inverse de crête répétitive de 200 VRM
- Tension inverse de 200 VR
- Courant direct moyen de 2 A
- Courant de surtension direct de crête de 40 A
- Plage de température de stockage de -55 °C à 150 °C
Schéma dimensionnel
Publié le: 2025-07-29
| Mis à jour le: 2025-08-24