ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RD3G08CBLHRB

Le MOSFET de puissance à canal N RD3G08CBLHRB de ROHM Semiconductor est un composant semi-conducteur testé à 100 % en mode Avalanche, 40 V, 80 A, avec une faible résistance à l’état passant.  Ce MOSFET de puissance dispose d’un courant de drain d’impulsion de ±160 A, d’une tension grille-source de ±20 V et d’une dissipation de puissance de 96 W. Le MOSFET de puissance à canal N RD3G08CBLHRB est homologué AEC-Q101, conforme à la directive RoHS et est fourni en boîtier TO-252 (DPAK). Ce MOSFET de puissance fonctionne dans la plage de température de -55 °C à 175 °C. Les applications standard incluent les systèmes avancés d’assistance au conducteur (ADAS), l’info-divertissement, l’éclairage et l’électronique de carrosserie.