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ROHM Semiconductor Diodes barrières Schottky RBR40NS

Les barrières diodes Schottky RBR40NS de ROHM Semiconductor sont conçues pour être utilisées dans les alimentations de commutation et se caractérisent par un courant de surtension direct de crête de 100 A.  Ces diodes offrent une haute fiabilité, une tension directe faible et un courant direct moyen de 40 A. Les diodes de barrière Schottky RBR40NS sont disponibles en trois variantes avec des tensions de crête récurrentes négatives de 30 V, 40 V et 60 V. Ces diodes sont conçues selon une construction de type planaire épitaxiale au silicium et sont hébergées dans un boîtier TO-263AB (D2PAK). Les diodes barrières Schottky RBR40NS sont conforme à la directive RoHS et fonctionnent dans la plage de température de -55 °C à 150 °C.

Caractéristiques

  • Haute fiabilité
  • Alimentation de type moulée
  • Cathode de type double commun
  • Tension directe faible (VF)
  • Structure planaire épitaxiale en silicium
  • Courant de surtension direct de crête de 100 A (IFSM)
  • Courant direct redressé moyen de 40 A (ID)
  • Conforme à la directive RoHS
  • Température de jonction de 150 °C
  • Plage de température de stockage de -55 °C à 150 °C

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Numéro de pièce Fiche technique If - Courant direct Ifsm - Courant de surtension direct Ir - Courant inverse Vf - Tension directe Vr - Tension inverse Vrrm - Tension inverse répétitive Température de fonctionnement max.
RBR40NS30ATL RBR40NS30ATL Fiche technique 40 A 100 A 600 uA 520 mV 30 V 30 V + 150 C
RBR40NS40ATL RBR40NS40ATL Fiche technique 40 A 100 A 430 uA 550 mV 40 V 40 V + 150 C
RBR40NS60ATL RBR40NS60ATL Fiche technique 40 A 100 A 800 uA 600 mV 60 V 60 V + 150 C
Publié le: 2025-07-22 | Mis à jour le: 2025-08-04