ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky de haute fiabilité RBQxx65ATL
Diodes à barrière de Schottky RBQxx65ATL de ROHM Semiconductor sont des diodes de type double cathode commune qui sont fournies dans un boîtier TO-263S (D2PAK), de type moulage de puissance. Ces diodes sont des diodes à faible VF, faible IR et haute résistance aux DES qui offrent une haute fiabilité. Les diodes RBQxx65ATL de ROHM Semiconductor sont fabriquées à partir d'une construction planaire épitaxiale en silicium et sont adaptées aux alimentations de commutation, de téléphones et de divers composants électroniques portables.
Caractéristiques
- Cathode de type double commun
- Faible IR et faible VF
- Haute résistance aux DES
- Haute fiabilité
- Type de moulage de puissance TO-263S (D2PAK)
- Construction planaire épitaxiale en silicium
Applications
- Sources d’alimentation à commutation
- Téléphones et divers appareils électroniques portables
Produits associés
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky de haute fiabilité RBQxx45ATL
Diodes à faible VF, faible IR et haute résistance aux DES adaptées aux téléphones et à divers appareils électroniques portables.
ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky à faible IR RBQxx65ANZ
Diodes à cathode commune à faible IR, haute fiabilité et structure planaire épitaxiale en silicium.
Publié le: 2020-12-09
| Mis à jour le: 2024-10-31