ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN

Les MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant avec commutation rapide. Le R8002KN dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET ont une utilisation parallèle qui est facile à utiliser.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Commutation rapide
  • L'utilisation en parallèle est facile
  • Placage sans plomb ; conforme RoHS

Applications

  • Tension
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Numéro de pièce Fiche technique Description Pd - Dissipation d’énergie Conditionnement
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Fiche technique MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch 30 W Reel
R8002KNXC7G R8002KNXC7G Fiche technique MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch 28 W Tube
Publié le: 2022-02-08 | Mis à jour le: 2022-03-11