ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN
Les MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant avec commutation rapide. Le R8002KN dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET ont une utilisation parallèle qui est facile à utiliser.Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Commutation rapide
- L'utilisation en parallèle est facile
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
Applications
- Tension
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Pd - Dissipation d’énergie | Conditionnement |
|---|---|---|---|---|
| R8002KND3TL1 | ![]() |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch | 30 W | Reel |
| R8002KNXC7G | ![]() |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch | 28 W | Tube |
Publié le: 2022-02-08
| Mis à jour le: 2022-03-11

