ROHM Semiconductor Diodes Zener PBZTBR1x
Les diodes Zener PBZTBR1x ROHM Semiconductor disposent d’une haute fiabilité et d’un petit type de moulage électrique avec une structure planaire épitaxiale au silicium. Ces diodes Zener offrent une dissipation de d'énergie de 1 000 mW et une température de jonction de 150°° C. Les diodes Zener PBZTBR1x sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Ces diodes Zener sont disponibles en boîtier DO-214AA (SMB). Les diodes Zener PBZTBR1x sont utilisées dans la régulation de tension.
Caractéristiques
- Haute fiabilité
- Type de moule à faible puissance
- Structure planaire épitaxiale en silicium
- Dissipation d'énergie de 1000mW
- Température de jonction de 150 °C
- Plage de température de stockage : de 55 °C à 150 °C
Schéma des dimensions
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| Numéro de pièce | Vz - Tension Zener | Courant de Zener | Test du courant | Ir - Courant inverse |
|---|---|---|---|---|
| PBZTBR110B | 10 V | 10 uA | 40 mA | 10 uA |
| PBZTBR111B | 11 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR112B | 12 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR113B | 13 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR115B | 15 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR116B | 16 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR118B | 18 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR12.0B | 2 V | 200 uA | 40 mA | 10 uA |
| PBZTBR12.2B | 2.2 V | 200 uA | 40 mA | 200 uA |
| PBZTBR12.4B | 2.4 V | 200 uA | 40 mA | 200 uA |
Publié le: 2024-03-07
| Mis à jour le: 2024-04-02