ROHM Semiconductor MOSFET à mode d’amélioration à double canal HP8K/HT8K
Les MOSFET à mode d’amélioration à double canal HP8K/HT8K ROHM Semiconductor offrent une polarité de transistor à canal N ou N/P double. Les MOSFET HP8K et HT8K sont disponibles en petits boîtiers doubles à montage en surface HSMT8 et HSO8 dissipateurs de chaleur à l’arrière qui fournissent de faibles résistances en marche et des économies d’énergie. Les applications comprennent les entraînements de moteurs brushless monophasés/triphasés ou les opérations de commutation.
Caractéristiques
- Résistances à l’état passant faibles
- Petits boîtiers HSMT8 et HSOP8 pour montage en surface
- Haute puissance
- Technologie Si
- Placage sans plomb
- Sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Commutation
- Commandes de moteurs
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source 100 V
- Plage de courant de drain continu de ±2,5 A à ±24 A
- plage de courant de drain pulsé de ±10 A à ±40 A
- Tension grille-source ±20 V
- Tension de seuil grille-source 2,5 V
- Plage de courant d’avalanche 2,5 A à 10,0 A, à impulsion unique
- Plage d’énergie d’avalanche de 0.45mJ à 8,0 mJ, à impulsion unique
- Plage de dissipation de puissance 2 W à 26 W
- Plage de résistance de grille de 1,9 Ω à 17 Ω
- Plage d’admission de transfert direct minimale de 1,6 S à 9 S
- Plage de résistance drain-source de 27,8 mΩ à 303 mΩ
- Plage de charge de grille de 2,9 nC à 19.8nC
- Capacité typique
- Options d’entrée 90 pF, 305 pF ou 1 100 pF
- Options de sortie 25 pF, 80 pF ou 215 pF
- Options de transfert inverse 4 pF, 6 pF ou 12 pF
- Plages de délai typiques
- Plage d’allumage de 6 ns à 15 ns
- Plage d’arrêt range de 13 ns à 98 ns
- Plage de temps de montée de 6 ns à 22 ns
- Plage de temps de descente de 5 ns à 50 ns
- Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
Infographie
Publié le: 2023-08-15
| Mis à jour le: 2025-01-09