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ROHM Semiconductor HEMT GaN GNP2x 650 V en mode d’amélioration

Les HEMT GaN GNP2x de 650 V ROHM Semiconductor en mode amélioré sont conçus pour des applications de conversion d’énergie électrique haute performance. Ces transistors à haute mobilité électronique (HEMT) sont dotés d’une tension de rupture élevée et d’une faible charge de grille. Le HEMT GaN GNP2x propose une densité de haute efficacité, haute puissance et des capacités de commutation rapides. Ces HEMT GaN sont dotés d’une tension grille-source transitoire de 8,5 V et fonctionnent dans la plage de température de -55 °C à 150 °C.  Les applications typiques incluent des convertisseurs à haute fréquence de commutation et haute densité.

Caractéristiques

  • HEMT GaN 650 V en mode E
  • Résistance :
    • 70 mΩ (GNP2070TEC-Z et GNP2070TD-Z)
    • 130 mΩ (GNP2130TEC-Z)
  • Charge de grille :
    • 2,8 nC (GNP2130TEC-Z)
    • 4,7 nC (GNP2070TEC-Z)
    • 5,2 nC (GNP2070TD-Z)
  • Tension transitoire drain à source de 800 V
  • Tension grille à source de -10 V à 6,5 V
  • Tension transitoire grille à source de 8,5 V
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C
  • Boîtiers :
    • TOLL-8N (GNP2070TD-Z)
    • DFN8080CK (GNP2070TEC-Z et GNP2130TEC-Z)

Applications

  • Convertisseurs à haute fréquence de commutation
  • Convertisseurs à haute densité

Fiche technique

Schéma du circuit d’application

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor HEMT GaN GNP2x 650 V en mode d’amélioration
Publié le: 2025-01-07 | Mis à jour le: 2025-10-09