ROHM Semiconductor Résistances de détection de courant
Les résistances de détection de courant de ROHM Semiconductor sont développées pour une large gamme d'applications nécessitant une plus grande fiabilité. Les résistances de détection de courant de ROHM Semiconductor utilisent un alliage haute performance pour l'élément résistif, permettant une détection de courant de haute précision avec d'excellentes caractéristiques de température. Les applications comprennent les dispositifs portables tels que les smartphones, ainsi que les systèmes automobiles et industriels.
Caractéristiques
- Développé pour une large gamme d'applications nécessitant un plus haut degré de fiabilité
- Utilise un alliage haute performance pour l'élément résistif, permettant une détection de courant de haute précision avec d'excellentes caractéristiques de température
Présentation
Couche épaisse à faible valeur ohmique
Résistances de puces à faible valeur ohmique et couche épaisse UCR
Les résistances de puces à faible résistance UCR disposent d'un élément résistif à couche épaisse spécialisé pour une très faible résistance de 11 mΩ. Les caractéristiques incluent une excellente puissance nominale et une excellente stabilité de résistance indépendamment de l'environnement ambiant.
Élément métallique à faible valeur ohmique
Résistances de puces à ultra-faible valeur ohmique PMR
Les résistances shunt PMR sont disponibles à partir de 1 mΩ. La structure propriétaire sans ajustement empêche la concentration de chaleur, réduisant la montée en température, tandis qu'une faible inductance rend possible la détection du courant de haute précision. La gamme comprend un large éventail de tailles pour s'adapter à une variété d'applications.
Borne inverse/haute puissance
Résistances de puces à ultra-faible valeur ohmique PML
Les résistances PML disposent d'une large configuration de bornes pour une fiabilité de soudage et des caractéristiques de dissipation de chaleur améliorées. Structure unique sans ajustement utilisée pour une meilleure précision de détection de courant, recommandée pour les circuits de commutation à courant élevé et haute vitesse.
Shunt haute puissance à faible valeur ohmique
Les résistances shunt ohmiques haute puissance GMR
Les résistances GMR sont caractérisées par une dissipation de chaleur élevée et une fiabilité supérieure. L'optimisation du chemin de dissipation de chaleur permet d'assurer une puissance nominale plus élevée dans un facteur de forme compact. Ces composants offrent une puissance nominale de 3 W à 10 W et une plage de résistance de 5 mΩ à 220 mΩ.
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Résistances shunt à ultra-faible valeur ohmique
Les résistances shunt PSR disposent d'une valeur de résistance ultra-faible de 0,2 mΩ. Ces résistances offrent un excellent coefficient de température et sont idéales pour la détection de courant dans les circuits à courant élevé.
Vidéos
Résistances associées
ROHM Semiconductor Résistances shunt sur puce GMR320
Dispositifs à plaque métallique de type à haute puissance qui fournissent une puissance nominale de 10 W (à une température de borne de 70 °C).