ROHM Semiconductor CI de commutateur à 1 canal côté bas BV1LB050FPJ-C

Le CI de commutateur à 1 canal côté bas BV1LB050FPJ-C de ROHM Semiconductor est un commutateur homologuéAEC-Q100 avec une résistance à l'état passant standard de 50 mΩ (à 25 °C Tj, 5 V VIN et 2,4 A IOUT). Ce commutateur comprend une fonction de limitation active intégrée, un double TSD et une fonction de protection contre les surintensités (OCP). Le commutateur BV1LB050FPJ-C est disponible aux dimensions 6,6 mm x 10,1 mm x 2,5 mm dans un boîtier TO252-J3. Les applications typiques comprennent l'automobile, le pilotage de charges résistives, inductives et capacitives.

Caractéristiques

  • TSD double intégré
  • Fonction intégrée de protection contre les surintensités (OCP)
  • Fonction de limitation active intégrée
  • Contrôle direct activé à partir du CI logique CMOS
  • Résistance à l'état passant standard de 50 mΩ (VIN = 5 V, IOUT = 2,4 A et Tj = 25 °C)
  • CI de gestion d'alimentation monolithique avec bloc de contrôle (CMOS) et MOSFET de puissance montés sur une seule puce
  • Tension de limitation de sortie minimum de 40 V
  • Énergie de limitation active de 105 mJ (Tj(DÉMARRAGE) = 25 °C)
  • Disponible aux dimensions 6,6 mm x 10,1 mm x 2,5 mm dans un boîtier TO252-J3
  • Qualification AEC-Q100

Applications

  • Automobile
  • Pilotage de charge résistive, inductive et capacitive

Schéma fonctionnel

Schéma de principe - ROHM Semiconductor CI de commutateur à 1 canal côté bas BV1LB050FPJ-C
Publié le: 2025-05-16 | Mis à jour le: 2025-06-26