ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible N-Ch 60 V 310 mA BSS138WAHZG

Le MOSFET à signal faible 310 mA 60V à canal N BSS138WAHZG de ROHM Semiconductor  dispose plusieurs caractéristiques pour optimiser la performance et la fiabilité. Le MOSFET BSS138WAHZG de ROHM Semiconductor a une capacité de commutation rapide et une commande très basse tension à 2,5 V. Le composant garantit une exploitation efficace dans diverses applications. De plus, sa protection DES jusqu'à 2 kV (HBM) améliore la durabilité. Sans Pb et conforme à la directive RoHS et sans halogène, il est conforme aux normes environnementales. De plus, sa qualification AEC-Q101 lui permet d'être utilisé dans des applications automobiles.

Caractéristiques

  • Commutation très rapide
  • Tension d'entraînement ultra-faible : 2,5 V
  • Protection DES jusqu'à 2 kV (HBM)
  • Placage des fils sans plomb ; conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène
  • Qualifié AEC-Q101

Applications

  • Circuits de commutation
  • Commutateurs de charge côté bas
  • Pilotes de relais

Circuit intérieur

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible N-Ch 60 V 310 mA BSS138WAHZG
Publié le: 2024-06-14 | Mis à jour le: 2024-06-20