ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible N-Ch 60 V 310 mA BSS138WAHZG
Le MOSFET à signal faible 310 mA 60V à canal N BSS138WAHZG de ROHM Semiconductor dispose plusieurs caractéristiques pour optimiser la performance et la fiabilité. Le MOSFET BSS138WAHZG de ROHM Semiconductor a une capacité de commutation rapide et une commande très basse tension à 2,5 V. Le composant garantit une exploitation efficace dans diverses applications. De plus, sa protection DES jusqu'à 2 kV (HBM) améliore la durabilité. Sans Pb et conforme à la directive RoHS et sans halogène, il est conforme aux normes environnementales. De plus, sa qualification AEC-Q101 lui permet d'être utilisé dans des applications automobiles.Caractéristiques
- Commutation très rapide
- Tension d'entraînement ultra-faible : 2,5 V
- Protection DES jusqu'à 2 kV (HBM)
- Placage des fils sans plomb ; conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- Qualifié AEC-Q101
Applications
- Circuits de commutation
- Commutateurs de charge côté bas
- Pilotes de relais
Circuit intérieur
Publié le: 2024-06-14
| Mis à jour le: 2024-06-20
