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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

Le MOSFET de puissance à canal P, -40V/-40A, de ROHM Semiconductor AG508EGD3 est un MOSFET de qualité automobile homologuéAEC-Q101. Il a une faible résistance à l'état passant (0,024 Ω à VGS= 4,5 V) et convient aux applications de systèmes automobiles. Il est livré dans un boîtier TO-252 (DPAK), et est sans plomb et conforme à la directive RoHS. Le AG508EGD3 deROHM Semiconductor est spécifié pour une tension source-drain (VDSS) de -40 V et a un courant de drain continu (ID) (à VGS= -10) de ±40 A.

Caractéristiques

  • Faible résistance en état de fonctionnement
  • Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • 100 % testé en mode avalanche
  • Qualification AEC-Q101

Caractéristiques techniques

  • Résistance drain-source statique à l'état passant [RDS(ON)]
    • 18,1 Ω (std), 24 Ω (max.) (VGS= -10 V, ID= -10 V)
    • 24,0 Ω (std), 31 Ω (max.) (VGS= -4,5 V, ID= -10 A)
  • Tension drain-source (VDSS) de -40 V
  • Courant de drain continu (ID) (à VGS= -10 V) de ±40 A
  • Courant de drain pulsé (IDP) de ±80 A
  • Tension grille-source (VGSS) de +5/-20 V
  • Charge de grille totale (Qg)
    • 27,6 nC (std) (VDD= -20 V, ID= -10 A, VGS= -10 V)
    • 13,0 nC (std) (VDD= -20 V, ID= -10 A, VGS= -4,5 V)
  • Dissipation d'énergie (PD) de 53 W
  • Température de jonction (Tj) de 175 °C

Schéma de circuit

Schéma - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3
Publié le: 2025-07-23 | Mis à jour le: 2025-08-06