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ROHM Semiconductor Diodes à barrière de SCHOTTKY automobiles 30 V

Les Photodiodes Schottky automobilesde 30 V ROHM Semiconductor sont des diodes montées en surface, de type de moule de puissance et conformes à l'AEC-Q101. Ces photodiodes Schottky présentent une haute fiabilité, un courant inverse ultra-faible (IR) et une structure planaire épitaxiale à base desilicium. Ces diodes ont une tension directe (VF(max)) de 0,72 V et une tension inverse (VR) de 30 V. Ces diodes présentent un courant inverse (IR) de 0,005 mA et un courant direct (IF) de 5 A. Ces diodes logent dans un boîtier TO-252 (DPAK) et sont conformes à la directive RoHS. Ces diodes permettant la commutation d'alimentations électriques.

Caractéristiques

  • Haute fiabilité
  • Courant inverse ultra-faible (IR)
  • Structure planaire épitaxiale en silicium
  • Montage en surface
  • Boîtier TO-252 (DPAK)

Caractéristiques techniques

  • Tension directe (VF) de 0,72 V
  • Tension inverse (VR) de 30 V
  • Courant inverse (IF) de 5 µA
  • Plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C

Schéma des dimensions

Plan mécanique - ROHM Semiconductor Diodes à barrière de SCHOTTKY automobiles 30 V

Ressources supplémentaires

Publié le: 2023-08-18 | Mis à jour le: 2025-11-03