Renesas Electronics SRAM asynchrones
Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.
La SRAM asynchrone (ou mémoire d’accès aléatoire statique asynchrone) stocke les données à l’aide d’une méthode statique, dans laquelle les données restent constantes tant que l’alimentation électrique est envoyée au dispositif. Cette méthode est différente de la DRAM (RAM dynamique), qui nécessite constamment un rafraîchissement des données stockées dans la mémoire.
Comme la SRAM asynchrone stocke les données de façon statique, elle est plus rapide et nécessite moins de puissance que la DRAM. Par ailleurs, la SRAM est créée à l’aide d’une topologie de circuit plus complexe et est donc moins dense et plus coûteuse à fabriquer que la DRAM. Par conséquent, la DRAM est le plus souvent utilisée comme mémoire principale pour les ordinateurs personnels. En revanche, la SRAM asynchrone est couramment utilisée dans les applications de mémoire plus petite, telles que la mémoire cache CPU, les tampons de disque dur, les équipements réseau, l’électronique grand public et les appareils électroménagers. Les SRAM synchrones utilisent des horloges pour la lecture et l’écriture, tandis que des signaux asynchrones contrôlent généralement les SRAM asynchrones.
Les paramètres clés pour choisir une SRAM asynchrone sont les suivants :
Densité : c’est le nombre de bits que la SRAM asynchrone contiendra dans sa mémoire. Renesas propose des tailles allant jusqu’à 4 Mo.
Largeur du bus : nombre de « voies » utilisées pour lire et écrire dans la mémoire. Renesas propose des options de 8 bits et 16 bits.
Tension de base : la tension d’alimentation utilisée pour alimenter la SRAM asynchrone. Cela est généralement défini par les rails d’alimentation disponibles dans le système et a souvent des implications sur la tension d’E/S nécessaire pour lire et écrire sur la mémoire. Renesas propose des options standard de 5 V et 3,3 V.
Tension d'E/S : la tension utilisée pour l’entrée et la sortie des données ; pour certains appareils, elle est séparée de la tension de base.
Temps d’accès : le temps nécessaire pour lire ou écrire dans la mémoire. Idéalement, le temps d’accès de la SRAM asynchrone doit être suffisamment rapide pour s’adapter au CPU. Sinon, le CPU gaspillera un certain nombre de cycles d’horloge, ce qui le rend plus lent. Le Renesas offre des temps d’accès descendant jusqu'à 10 ns.