Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
Le pHEMT transistor pseudomorphique à haute mobilité d'électrons) GaAs discret 1 600 µm QPD2160D de Qorvo (dispose d'une fréquence de fonctionnement CC jusqu'à 20 GHz. Le QPD2160D fournit généralement 32,5 dBm de puissance de sortie à P1dB avec un gain de 10,4 dB et un rendement de puissance ajoutée de 63 % à une compression de 1 dB. Cette performance rend le QPD2160D adapté aux applications à haut rendement.
Le QPD2160D est conçu à l'aide d'un processus de production pHEMT de puissance de 0,25 µm. Ce processus dispose de techniques avancées pour optimiser la puissance et le rendement des micro-ondes dans des conditions de fonctionnement à haute polarisation de drain.
Le pHEMT GaAs QPD2160D de Qorvo est proposé avec une puce nue de 0,41 mm x 0,54 mm x 0,10 mm. Le dispositif est doté d'une couche de protection en nitrure de silicium qui lui confère une grande robustesse environnementale et une protection contre les rayures.
Caractéristiques
- Plage de fréquence couplage CC jusqu'à 20 GHz
- Puissance de sortie standard P1dB : 32,5 dBm
- Gain standard de 10,4 dB à 12 GHz
- PAE standard 63 % à 12 GHz
- Facteur de bruit standard de 1 dB à 12 GHz
- Tension de drain 8 V
- Courant de drain 258 mA
- Technologie pHEMT GaAs 0,25 µm
- Puce nue de 0,41 mm x 0,54 mm x 0,10 mm
- Sans halogènes, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Télécommunications
- Radar
- Radio point à point
- Communications satellitaires
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