Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040D

La puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040D de Qorvo est conçue à l'aide du procédé éprouvé de production pHEMT de puissance 0,25 µm standard de Qorvo. Le processus dispose de techniques avancées pour optimiser la puissance et le rendement des micro-ondes dans des conditions de fonctionnement à haute polarisation de drain. La QPD2040D fonctionne de CC à 20 GHz avec une puissance de sortie standard de 26 dBm à P1dB et un gain de 13 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à une compression de 1 dB. Ce niveau de performance est idéal pour les applications à haut rendement. La couche de revêtement de protection avec nitrure de silicium procure une robustesse environnementale et une protection contre les rayures.