Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 250 µm QPD2025D

La puce pHEMT GaAs discrète 250 µm QPD2025D de Qorvo est développée à l'aide du procédé éprouvé de production pHEMT de puissance standard de 0,25 µm de Qorvo. Le processus dispose de techniques avancées pour optimiser la puissance et le rendement des micro-ondes dans des conditions de fonctionnement à haute polarisation de drain. La QPD2025D fonctionne de CC à 20 Hz avec une puissance de sortie standard de 24 dBm à P1dB avec un gain de 14 dB et un rendement de puissance ajoutée de 58 % à une compression de 1 dB. Avec ce niveau de performance, le composant est idéal pour les applications à haut rendement. La couche de revêtement de protection avec nitrure de silicium offre une robustesse environnementale et une protection contre les rayures.