Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018D
La puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018D de Qorvo utilise le procédé de production pHEMT de puissance standard de 0,25 µm de Qorvo. Ce processus éprouvé dispose de techniques avancées pour optimiser la puissance et le rendement des micro-ondes dans des conditions de fonctionnement à haute polarisation de drain.
La puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018D de Qorvo fonctionne de CC à 20 GHz. Le QPD2018D offre généralement 22 dBm de puissance de sortie à P1dB avec un gain de 14 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à une compression de 1 dB, ce qui le rend idéal pour les applications à haut rendement. La couche de revêtement de protection avec nitrure de silicium utilise la robustesse environnementale et la protection contre les rayures.
Caractéristiques
- Plage de fréquence : CC jusqu'à 20 GHz
- Puissance de sortie standard P1dB : 22 dBm
- Gain standard de 14 dB à 12 GHz
- PAE standard 55 % à 12 GHz
- NF standard de 1 dB à 12 GHz
- Pas de polarisation
- Technologie pHEMT GaAs 0,25 µm
- Dimensions de la puce : 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Télécommunications
- Radar
- Radio point à point
- Communications satellitaires
Publié le: 2022-02-07
| Mis à jour le: 2022-03-11