Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Les transistors basés sur la technologie GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d'électrons (HEMT), au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC), 15 W (P3dB), avec adaptation d’entrée 50 Ω, qui fonctionnent de 30 MHz à 1,2 GHz sur un rail d’alimentation de 50 V. Un réseau d'adaptation d'entrée intégré permet un gain de large bande et des performances de puissance, tandis que la sortie peut être adaptée sur la carte pour optimiser la puissance et le rendement pour n'importe quelle région de la bande. Les transistors QPD1014A de Qorvo sont logés dans un boîtier SMT sans plomb de 6 mm x 5 mm x 0,85 mm qui permet d’économiser de l’espace dans les radios portables déjà limitées en termes d’espace.
Caractéristiques
- HEMT GaN sur SiC discrets avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P3 dB)
- Fonctionne de 30 MHz à 1,2 GHz sur un rail d'alimentation de 50 V
- Réseau d'adaptation d'entrée intégré
- Boîtier à faible résistance thermique
- Compatible avec les ondes continues (CW) et les impulsions
- Boîtier DFN 6 mm x 5 mm x 0,85 mm, montage en surface
- Sans SVHC et sans PFOS
- Sans plomb, sans halogène/antimoine et conforme à la directive RoHS
Applications
- Stations de base
- Antennes actives
- Radar à usage militaire
- Radar civil
- Communications mobiles terrestres et radio
- Brouilleurs
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture maximale de +145 V
- Courant de drain maximal de 1 A
- Plage de tension de drain de 12 V à 55 V
- Courant de polarisation de drain standard de 20 mA
- Plage de tension de grille maximale de -8 V à +2 V, -2,8 V standard
- Plage de courant de grille maximal de 3,6 mA
- Puissance dissipable admissible de 15,8 W, fonctionnement maximal de 14,4 W
- Puissance d'entrée RF maximale de 31 dBm
- Gamme de fréquences standard de 0,6 GHz à 1,2 GHz
- Plages de gain linéaire
- Optimisé pour la puissance : de 20,1 dB à 21,5 dB
- Optimisé pour le rendement : de 21,2 dB à 23,0 dB
- Plages de puissance de sortie à une compression de 3 dB
- Optimisé pour la puissance : de 41,9 dBm à 42,7 dBm
- Optimisé pour le rendement : de 39,0 dBm à 41,2 dBm
- Plages de rendement à puissance ajoutée à une compression de 3 dB
- Optimisé pour la puissance : de 60,0 % à 65,0 %
- Optimisé pour le rendement : de 70,4 % à 79,2 %
- Plages de gain à une compression de 3 dB
- Optimisé pour la puissance : de 17,1 dB à 18,5 dB
- Optimisé pour le rendement : de 18,2 dB à 20,0 dB
- Température de montage maximale de +320 °C pendant 30 s
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C
- Température maximale des canaux de +250 °C
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3
- Valeurs nominales de décharge électrostatique (DES) selon les normes ANSI/DES/JEDEC JS-001
- Modèle de corps humain (HBM) 250 V
- Modèle de dispositif chargé (CDM) 1 000 V
Schéma fonctionnel
Outil de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPD1014AEVB
Conçue spécifiquement pour accélérer la caractérisation des dispositifs et le prototypage des amplificateurs dans la bande de 100 MHz à 1 GHz.
Publié le: 2026-01-13
| Mis à jour le: 2026-01-20