onsemi FETs en carbure de silicium (SiC) UF4SC120023B7S G4

Les FET en carbure de silicium (SiC) UF4SC120023B7S G4 d'Onsemi sont des dispositifs 1 200 V 23 mΩ basé sur une configuration de circuit unique de type cascode. Un JFET en SiC normalement activé est associé dans cette configuration à un MOSFET Si, ce qui produit un dispositif FET SiC normalement désactivé. Les caractéristiques de commande de grille standard du dispositif permettent l'utilisation de pilotes de commandes prêtes à l'emploi, ce qui nécessite une reconception minimale lors du remplacement d’IGBT Si, de dispositifs à super-jonction Si ou de MOSFET SiC. Disponibles dans un boîtier D2PAK-7L peu encombrant (permettant un assemblage automatisé), ces dispositifs présentent une charge de grille ultra-faible et des caractéristiques de récupération inverse exceptionnelles. Les FET SiC UF4SC120023B7S G4  d'Onsemi sont idéaux pour la commutation de charges inductives et les applications nécessitant une commande de grille standard.