Retour à onsemi

onsemi MOSFET SuperFET® V

Les MOSFET SuperFET® V onsemi sont des MOSFET haute tension à Super-jonction (SJ) de cinquième génération. Ces dispositifs offrent le meilleur facteur de mérite (FOM) de leur catégorie (RDS(ON)·QG et RDS(ON)·E OSS), pour améliorer le rendement non seulement sous charge lourde mais aussi sous charge légère. Les MOSFET SuperFET V 600 V offrent des avantages de conception grâce à des pertes réduites de conduction et de commutation tout en permettant des valeurs nominales extrêmes dVDS/dt de MOSFET à 120 V/ns. La série de MOSFET SuperFET V rapide aide à maximiser le rendement du système et la densité de puissance. La gamme de MOSFET SuperFET V à entraînement facile combine d'excellentes performances de commutation sans pour autant négliger la facilité d'utilisation pour les topologies de commutation dure et progressive. Les applications standard comprennent les télécommunications, le système cloud et l'industrie.

Caractéristiques

  • Faible perte en commutation
  • 100 % testé en avalanche
  • tension drain-sourceDSS 600 V
  • 650 V à TJ = 150 °C
  • Bonne efficacité du système
  • Conformes à la directive RoHS
  • MOSFET de puissance NTHL041N60S5H :
    • Performances de commutation rapides avec diode de corps robuste
    • Charge de grille (Qg) ultra-basse de 108 nC (standard)
    • Faible capacité de sortie efficace 643 pF (standard)
    • 32,8 mΩ RDS(on) (standard)
  • MOSFET de puissance NTHL099N60S5 :
    • Capacité optimisée
    • Charge de grille (Qg) ultra-basse de 48 nC (standard)
    • Capacité de sortie liée au faible temps 642 pF (standard)
    • 79,2 mΩ RDS(on) (standard)

Applications

  • Télécommunications
  • Alimentations de serveur
  • Système Cloud
  • ASI
  • Sources d’alimentation industrielles
  • Chargeur EV

Fiches techniques

View Results ( 5 ) Page
Numéro de pièce Fiche technique Id - Courant continu de fuite Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Vds - Tension de rupture drain-source Rds On - Résistance drain-source Nombre de canaux Polarité du transistor Technologie Style de montage RoHS - Mouser
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 Fiche technique 33 A 184 W 48 nC - 30 V, 30 V 4 V 600 V 99 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTD280N60S5Z NTD280N60S5Z Fiche technique 13 A 89 W 17.9 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 280 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
NTHL120N60S5Z NTHL120N60S5Z Fiche technique 28 A 160 W 40 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 120 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole Y
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H Fiche technique 57 A 329 W 108 nC - 30 V, 30 V 4.3 V 600 V 41 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTMT061N60S5H NTMT061N60S5H Fiche technique 41 A 250 W 73.6 nC 30 V 4.3 V 600 V 61 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
Publié le: 2021-08-27 | Mis à jour le: 2025-10-06