onsemi Modules SiC E1B

Les modules   SiC E1B Onsemi   sont dotés d’un circuit en cascade unique avec un JFET SiC normalement activé co-emballé avec un MOSFET Si, ce qui donne un FET SiC normalement désactivé. Le SiC E1B série offre un pilote de grille de type silicium qui prend en charge des pilotes de grille unipolaires compatibles avec les Si IGBTs Si FET, SiC MOSFET et dispositifs à super-jonction Si. Hébergés dans le boîtier module E1B, ces dispositifs onsemi présentent charge de grille ultra-faibles et d’excellentes caractéristiques de commutation, ce qui les rend idéaux pour les applications à commutation dure et à commutation douce ZVS. Les modules intègrent une technologie avancée de fixation de matrice par frittage à l’argent pour un cycle de puissance et des performances thermiques supérieurs.

Caractéristiques

  • Résistance à l’état passant standard
    • UHB100SC12E1BC3N RDS (on) = 9,4 mΩ
    • UHB50SC12E1BC3N RDS (on) = 19 mΩ
    • UFB25SC12E1BC3N RDS (on) = 35 mΩ
    • UFB15C12E1BC3N RDS (on) = 70 mΩ
  • Excellente récupération inverse
    • UFB15C12E1BC3N Qrr = 140 nC
    • UFB25SC12E1BC3N Qrr = 244 nC
    • UHB50SC12E1BC3N Qrr = 495 nC
    • UHB100SC12E1BC3N Qrr = 1 000 nC
  • Faible tension de diode de corps
    • UHB50SC12E1BC3N VFSD= 1,2 V
    • UHB100SC12E1BC3N, UFB15C12E1BC3N, UFB25SC12E1BC3N VFSD = 1,4 V
  • Faible charge de grille
    • UFB25SC12E1BC3N QG = 42,5 nC
    • UFB15C12E1BC3N QG = 46 nC
    • UHB50SC12E1BC3N QG = 85 nC
    • UHB100SC12E1BC3N QG = 170 nC
  • Tension de seuil standard de 5 V VG (th) permettant un pilotage de 0 à 15 V
  • Faible capacité intrinsèque
  • Protection DES HBM classe 2 et CDM classe C3
  • Température de fonctionnement maximale de +150°C

Applications

  • Stations de recharge de véhicules électriques
  • Convertisseurs PV
  • Alimentations en mode commuté (SMPS)
  • Modules de correction du facteur de puissance
  • Chauffage par induction
  • Entraînements à moteur

Vidéos

Circuits d'application

Publié le: 2024-02-07 | Mis à jour le: 2025-07-24