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onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

Les MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC d’onsemi sont des MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 650 V à haute performance, avec une RDS(on) standard de 23 mΩ et d’excellentes caractéristiques thermiques et de commutation. Ces MOSFET présentent une faible capacité de sortie effective, une haute efficacité, une commutation rapide et une charge de grille ultra-faible. Les MOSFET NxT2023N065M3S prennent en charge des courants de drain continu jusqu’à 72 A et fonctionnent sur une large plage de température allant de -55 °C à 175 °C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS, sans halogène et logés dans un boîtier compact T2PAK-7L. Le MOSFET EliteSiC NVT2023N065M3S est homologué AEC-Q101 ce qui le rend idéal pour les applications de qualité automobile telles que les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC dans les plateformes VE/VEH. Le MOSFET EliteSiC NTT2023N065M3S convient pour les SMPS, les convertisseurs de tension solaire, les ASI, le stockage d'énergie et l'infrastructure de chargement des véhicules électriques.

Caractéristiques

  • RDS(on) standard = 23 mΩ à VGS = 18 V
  • Faible capacité de sortie effective
  • Charge de grille ultra-faible
  • Le NVT2023N065M3S est conforme à la norme AEC-Q101
  • Testé 100 % UIS
  • Sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a
  • Sans Pb 2LI (sur l’interconnexion de deuxième niveau)
  • T2PAK-7L avec boîtier CASE 763AC

Applications

  • NTT2023N065M3S :
    • Conçu pour les applications industrielles telles que :
      • Alimentations électriques en mode commutateur (SMPS)
      • Convertisseurs solaires
      • Alimentations sans interruption (ASI)
      • Stockage d'énergie
      • Infrastructure de chargement des véhicules électriques
  • NVT2023N065M3S :
    • Homologué pour l’automobile (conforme à la norme AEC-Q101) :
      • Chargeurs pour véhicules électriques émbarqués et externes
      • Convertisseurs CC-CC automobiles pour systèmes VE/VEH

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 650 V
  • Tension grille-source de -8 V/+22 V
  • Courant de drain continu de 72 A à 25 °C et de 53 A à 100 °C
  • Dissipation d’énergie de 288 W à TC =25 °C
  • Courant de drain pulsé 174 A
  • Résistance thermique (RJC) de 0,52 °C/W
  • Charge de grille ultra-faible de 74 nC
  • Délai de mise sous tension de 24 ns, délai de coupure de 50 ns à 25 °C
  • Pertes de commutation faibles lors de la mise sous tension/hors tension de EON = 98 µJ, EOFF = 29 µJ
  • Large plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C

Schéma du circuit

Schéma du circuit d'application - onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

Schéma des dimensions

Plan mécanique - onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

Fiches techniques

Publié le: 2025-10-30 | Mis à jour le: 2025-12-04