onsemi Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G

Le module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G  onsemi est un module Boost à condensateur volant à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 200 A et deux diodes SiC 1 200 V, 60 A. Le module contient également une thermistance NTC. Les applications comprennent les onduleurs solaires et les systèmes d’alimentation sans interruption.

Caractéristiques

  • module boost à 3 canaux dans un boîtier Q2
  • Tranchée extrêmement efficace grâce à la technologie d'arrêt de champ
  • La faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
  • La conception du module garantit une densité de puissance élevée
  • Configuration à faible induction
  • Sans plomb

Applications

  • Onduleurs solaires
  • Systèmes d’alimentation sans interruption
  • Étages Boost MPPT

Caractéristiques techniques

  • IGBT (T11, T12, T21, T22, T31, T32)
    • Tension collecteur-émetteur maximale 1 000 V
    • Tension grille-émetteur maximale ±20 V
    • Tension grille-émetteur transitoire positive maximale 30 V
    • Courant collecteur continu maximal 173 A
    • Courant collecteur de crête pulsé maximal 519 A
    • Dissipation de puissance maximale 422 W
  • Diode inverse IGBT (D11, D12, D21, D22, D31, D32)
    • Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
    • Courant direct continu maximal 66 A
    • Courant direct de crête répétitif maximal 98 A
    • Dissipation de puissance maximale 101 W
  • Diode SCHOTTKY au carbure de silicium (D13, D14, D23, D24, D33, D34)
    • Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
    • Courant direct continu maximal 63 A
    • Courant direct de crête répétitif maximal 189 A
    • Dissipation de puissance maximale 204 W
  • Diode de démarrage (D15, D25, D35)
    • Tension inverse répétitive de crête maximale 1 200 V
    • Courant direct continu maximal 35 A
    • Courant direct de crête répétitif maximal 105 A
    • Dissipation de puissance maximale 84 W
  • Distance de fuite maximale 12,7 mm
  • Plages de température
    • Jonction de -40 °C à +175 °C
    • Fonctionnement -40 °C à +150 °C en conditions de commutation

Schéma

Schéma - onsemi Module hybride Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G
Publié le: 2024-01-30 | Mis à jour le: 2024-06-18