Retour à onsemi

onsemi MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Les MOSFET à base de SiC NXH0x0F120MNF1 onsemi sont des modules de puissance contenant un pont complet et une thermistance en boîtier F1. Ces MOSFET disposent de thermistances et de broches à insertion par pression.  Les modules NXH0x0F120MNF1 fournissent à la fois un Matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans option de TIM pré-appliqué. Ces modules servent idéalement dans des onduleurs solaires, dans des alimentations électriques sans interruption, dans des stations de charge de véhicules électriques et dans des alimentations électriques industrielles. Les modules NXH0x0F120MNF1 sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules sont fournis avec -40°°C à 150°°C de plage de température de stockage et une plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C. 

Caractéristiques

  • Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V (NXH040F120MNF1)
  • Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V (NXH020F120MNF1)
  • Thermistance
  • Broches à insertion par pression
  • Options avec un matériau d'interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans TIM pré-appliqué
  • Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

Caractéristiques techniques

  • Plage de température de stockage de -40 °C à +150 °C
  • Température de jonction minimale en fonctionnement : –40 °C
  • Température de jonction maximale en fonctionnement : +175 °C
  • Température de jonction en fonctionnement du module : de -40 °C à +175 ºC

Applications

  • Onduleur solaire
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Stations de recharge de véhicules électriques
  • Alimentation industrielle

Schéma de principe

Schéma - onsemi MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

En savoir plus sur EliteSiC

onsemi EliteSiC

Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.

Learn Moreà propos de onsemi EliteSiC
View Results ( 6 ) Page
Numéro de pièce Nom Mfr Description Fiche technique
NXH007F120M3F2PTHG onsemi Modules MOSFET 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE NXH007F120M3F2PTHG Fiche technique
NXH011F120M3F2PTHG onsemi Modules MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE NXH011F120M3F2PTHG Fiche technique
NXH020F120MNF1PTG onsemi Modules MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM NXH020F120MNF1PTG Fiche technique
NXH040F120MNF1PTG onsemi Modules MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM NXH040F120MNF1PTG Fiche technique
NXH020F120MNF1PG onsemi Modules MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET NXH020F120MNF1PG Fiche technique
NXH040F120MNF1PG onsemi Modules MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET NXH040F120MNF1PG Fiche technique
Publié le: 2022-04-07 | Mis à jour le: 2024-06-18