onsemi MOSFET de puissance NVMJD010N10MCL

Le MOSFET de puissance NVMJD010N10MCL d'onsemi est un MOSFET à double canal N destiné aux conceptions compactes et efficaces, y compris pour des performances thermiques élevées. Ce MOSFET de puissance fonctionne à une tension drain-source de 100 V, une résistance de drain de 10 mΩ et un courant de drain continu de 62 A. Le MOSFET NVMJD010N10MCL fournit de faibles charge totale de grille (Q_G) et capacité pour limiter les pertes de pilotes. Ce MOSFET est fourni en boîtier plat de 5 mm x 6 mm et est un MOSFET homologué AEC-Q101. Ce composant est sans plomb, sans halogène, sans BFR, sans béryllium et conforme à la directive RoHS. Ce MOSFET de puissance est idéal pour les pilotes de solénoïdes côté bas/côté haut, les contrôleurs de moteur automobile et les systèmes de freinage antiblocage.